INOVAÇÃO · IA E PRODUTOS
Samsung apresenta memórias V10 BV-NAND e zHBM para acelerar a IA
A Samsung aproveitou a edição de 2026 do evento Future of Memory and Storage, nos EUA, para mostrar que o…
A Samsung aproveitou a edição de 2026 do evento Future of Memory and Storage, nos EUA, para mostrar que o futuro do processamento de inteligência artificial depende essencialmente de novas arquiteturas de memória. Mais de uma década depois de revolucionar o mercado com a primeira tecnologia V-NAND, a fabricante sul-coreana revela agora a sua 10ª geração de armazenamento flash, a V10 BV-NAND, acompanhada de novos conceitos visando a próxima era da infraestrutura de IA.
O principal destaque no campo do armazenamento denso é a arquitetura V10 BV-NAND (Bonding V-NAND). Essa é a primeira memória flash do setor a ultrapassar a barreira de 400 camadas empilhadas, viabilizada por uma nova tecnologia de fusão de wafers. Esse avanço permitiu um salto de aproximadamente 58% na densidade de armazenamento em relação à geração V9 anterior.
Além da capacidade ampliada, a V10 entrega taxas aprimoradas de leitura, escrita e I/O, consumindo consideravelmente menos energia, um requisito indispensável para servidores de nuvem que lidam com volumes massivos de dados.
O futuro do processamento de IA com memórias zHBM
No entanto, a grande virada de chave para o processamento de IA veio com a apresentação do modelo conceitual da memória zHBM. Diferente das memórias de alta largura de banda tradicionais, que ficam posicionadas lado a lado com o processador na placa, a zHBM empilha os chips de memória verticalmente, diretamente sobre os aceleradores de IA.
Ao eliminar a distância percorrida pelos sinais elétricos, o sistema minimiza gargalos de transferência. Segundo a empresa, essa arquitetura pode alcançar cerca de 8x o desempenho da futura HBM5, multiplicando a densidade em 10x e triplicando a eficiência energética, enquanto reduz a resistência térmica pela metade.
Para Edge AI, a Samsung revelou a zNAND-O, uma solução flash de baixíssima latência desenvolvida em versões de quatro e oito camadas. A empresa também deu destaque à LPDDR5X-PIM, memória que integra capacidade de processamento diretamente nos chips de RAM (Processing-In-Memory), aliviando a carga sobre a CPU e acelerando a execução de modelos de linguagem diretamente nos dispositivos.
Enquanto traz essas inovações especificamente para o mercado de data centers para IA, a Samsung continua liderando o mercado de DRAM, embora as outras players continuem crescendo exponencialmente.
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Perguntas frequentes
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